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证券之星消息，根据天眼查APP数据显示广立微（301095）新获得一项发明专利授权，专利名为“识别晶体管源漏极间、源漏极至体极的漏电路径的方法及存储设备”，专利申请号为CN202211204935.2，授权日为2026年2月27日。

专利摘要：本发明公开了一种识别晶体管源漏极间、源漏极至体极的漏电路径的方法，通过提取并设置参数计量漏电路径中的浮栅数量评估晶体管源漏极间的漏电风险程度；通过在测试过程中将漏电路径受控栅极与目标晶体管的体极相连，提取并利用受控栅极的数量评估源漏极至体极的漏电风险程度。本发明还提供了利用上述方法能够识别晶体管源漏极间和/或源漏极至体极的漏电路径的存储设备。本发明能够全面地提取漏电路径，并将漏电路径中的受控栅极数量、浮栅数量作为评估漏电路径风险程度的重要指标进行提取，量化表征漏电路径的风险程度，以帮助芯片中测试晶体管的选取，以及后续对晶体管测试数据的异常值的分析。

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今年以来广立微新获得专利授权6个，较去年同期减少了60%。结合公司2025年中报财务数据，2025上半年公司在研发方面投入了1.44亿元，同比增9.1%。

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通过天眼查大数据分析，杭州广立微电子股份有限公司共对外投资了16家企业，参与招投标项目49次；财产线索方面有商标信息135条，专利信息258条，著作权信息94条；此外企业还拥有行政许可57个。

数据来源：天眼查APP

以上内容为证券之星据公开信息整理，由AI算法生成（网信算备310104345710301240019号），不构成投资建议。